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1.
利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明, ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加。XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移。同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响。与纯ZnO相比, 共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果。I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性。 相似文献
2.
运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO3/Ag/MoO3透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明电极。然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件:铝/氟化锂(LiF)/三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)/N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺/三氧化钼(MoO3)/银(Ag)/三氧化钼(MoO3),来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性。MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)在532 nm处的透射率达到最大值88.256%,以该透明电极制备的器件与参考器件相比,性能有了明显提高,最大亮度和最大效率分别为20 076 cd/m2和4.03 cd/A,提高了18.5%和56%。器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO3对空穴注入能力的提升。 相似文献
3.
4.
5.
蛋白质磷酸化修饰是一种重要的蛋白质翻译后修饰,在细胞代谢过程中发挥着重要作用。当蛋白质的正常磷酸化调节发生异常时,会导致癌症、糖尿病、心脏病等各种疾病的发生。因此,蛋白磷酸化分析对于疾病的早期快速诊断、药物筛选和治疗等方面具有重大的意义。由于蛋白质磷酸化过程是动态的,并且磷酸化肽段或蛋白在生物样品中的含量较低,因此高灵敏的蛋白磷酸化分析面临着巨大的挑战。该文依据在检测过程中,选择性识别或捕获磷酸化的肽段或蛋白的主要机理,综述了近几年纳米材料对磷酸化肽段的富集和信号放大作用在蛋白磷酸化分析中的研究进展,并对其未来研究方向进行了展望。 相似文献
6.
采用X射线衍射仪、光学显微镜、扫描电镜研究了铸态Mg-9Gd-2Nd-xAl(x=0,0.4%,0.8%,1.2%,质量分数)合金的物相和显微组织,采用拉伸试验机和布氏硬度计测试了合金的力学性能。结果表明:铸态Mg-9Gd-2Nd合金由α-Mg基体和沿晶界分布的Mg5Gd和Mg41Nd5第二相组成,加入Al元素后,合金中产生了新相Al2Gd和Al2Nd,组织明显细化,当Al添加量为0.8%时,合金的抗拉强度、屈服强度、硬度和延伸率分别为193.2 MPa,157.1 MPa,91.6 HBW和3.7%。随着Al元素含量的增加,合金的断裂方式有向韧性断裂转变的趋势。 相似文献
7.
运用NMR方法探讨了298 K时N,N'-双(十二烷基二甲基)-1,6-己烷溴化铵(G12-6-12)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)在D2O溶液中的相互作用. 测得G12-6-12和CTAB的临界胶束浓度cmc值分别约为0.773和0.668 mmol/L. 在不同G12-6-12摩尔分数下,混合体系的临界胶束浓度实验值cmc*小于理想值CMC*,相互作用参数βM<0,但是当α≤0.3时,cmc*比CMC*小很多,同时 满足|βM|>ln(cmc1/cmc2)条件. 表明G12-6-12和CTAB之间存在协同效应,可以形成混合胶束,在2D NOESY谱中可以看到G12-6-12与CTAB分子间的交叉峰,扩散实验也表明混合溶液中的胶束半径比纯溶液中的G12-6-12胶束半径大,都预示混合胶束的形成. 当α>0.3 时,cmc*≈CMC*,βM≈0, 根据假相分离模型和规则溶液理论,G12-6-12和CTAB近似于理想混合. 相似文献
8.
采用SiLENSe(Simulator of light emitters based on nitride semiconductors)软件仿真研究了AlxInyGa1-x-yN电子阻挡层(EBL)Al组分渐变方式对GaN基激光二极管(LD)光电性能的影响,实现了提高输出功率和电光转换效率的目的。文中提出的四种Al组分渐变方式分别是传统均匀组分、右阶梯渐变组分(0~0.07~0.16)、三角形渐变组分(0~0.16~0)、左阶梯渐变组分(0.16~0.07~0)。结果表明,与传统均匀组分EBL结构相比,Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-yN EBL LD导带底的电子势垒显著提高,价带顶的空穴势垒降低。这主要是由于该结构能有效抑制电子泄漏和提高空穴注入效率,从而提高有源区载流子浓度,进而提高有源区辐射复合效率。当注入电流为0.48 A时,采用Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-y... 相似文献
9.
10.
采用高温固相法制备了LiSrBO3:xEu3+ 荧光粉, 并通过XRD, 红外(FITR) 和荧光光谱(PL) 等对其表征. 结果表明, LiSrBO3: Eu3+ 荧光粉可被波长为395 nm 的紫外线和466 nm 的蓝光有效激发, 且发射主波长为612 nm (Eu3+的电偶极跃迁5D0 →7F2) 的红光. 研究了Eu3+ 掺杂浓度对LiSrBO3: Eu3+ 材料发光强度的影响, Eu3+ 掺杂浓度为6% 时样品的发射强度最大, 并且证实Eu3+ 之间的能量传递机制为电偶极子- 电偶极子相互作用. Li+, Na+, K+ 作为电荷补偿剂的引入全部导致LiSrBO3: Eu3+ 材料发射强度增强, 其中, Li+ 的引入要优于Na+ 和K+. 少量Al3+的掺杂降低了Eu3+ 所处格位的对称性, 增强了Eu3+ 的612 nm 的电偶极发射, 改善了LiSrBO3: Eu3+ 红色材料的色纯度.
关键词:
白光发光二级管
光致发光
浓度猝灭
电荷补偿剂 相似文献